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RV30YG

尺寸:30mm dia.
规格:1轴2连形
回转寿命:一万五千转
全抵抗值:50-2MΩ
定格电力:0.4-1W at +40℃ 0W at +85℃
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 G32
G32
R寸: 3mm sau
全抵抗值: 50-2MQ
定格电力: 0.125W at +70°C
 GATE DRIVER IC
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广泛应用在电机驱动, DC-DC转换器 , DC-AC逆变器上MOSFET及IGBT驱动.
 POWER MOSFET
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广泛应用在消费型电子,安防电子,医疗电子,穿戴式电子等产品领域。
 POWER MOSFET
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广泛应用在消费型电子,光伏逆变器,工控,储能电源,电网,轨道交通等产品领域,
 TFSS GATE DRIVER IC
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POWER MOSFET :30V ~ 2500V ,N MOS全系列包装.
 NPN & PNP TRANSISTOR
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广泛应用在消费型电子,电源,供放等领域.
 SCHOTTKY DIODE
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广泛应用在工控,安防,消费型电子,新能源等诸多领域.
 POWER MOSFET
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广泛应用在开关电源,电动工具,储能,适配器,节能照明,网络通信等产品领域.
 P-MOS  -20V~-350V全系列
P-MOS -20V~-350V全系列
LANNER ; TRENCH ; SGT ; SUPER JUCTION全系列制程

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